Перегрев фотоэлектрических модулей (ФЭМ) является ключевой проблемой, приводящей к снижению их эффективности и срока службы, особенно в регионах с высоким уровнем солнечной радиации. Существующие модели недостаточно детализированы для точного прогнозирования тепловых режимов тонкопленочных микроморфных модулей в реальных условиях эксплуатации. В работе разработана трехмерная конечно-элементная модель микроморфного модуля Pramac 125 в программном комплексе Ansys, учитывающая геометрические, оптические и термодинамические характеристики всех слоев. Для верификации модели проведен натурный эксперимент в Астраханской области с регистрацией температуры модуля и метеорологических параметров. Валидация подтвердила высокую точность модели: коэффициент детерминации R² между расчетными и экспериментальными данными составил 0,9991. Модель позволяет оценивать тепловые режимы и связанные с ними энергетические потери, что обосновывает необходимость применения систем охлаждения в южных регионах России.

Ключевые слова: фотоэлектрический модуль, микроморфная технология, солнечная радиация, температурный режим, выходная мощность, математическое моделирование, метод конечных элементов, тепловые режимы, валидация модели, численный эксперимент

1.2.2 - Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ , 1.3.11 - Физика полупроводников

В работе проведён анализ выходных параметров полевых транзисторов с контактным затвором (управляемым переходом (p-n-переходом или затвором Шоттки)) как из современных высокоподвижных полупроводников (типа AIIIBV, AIIBVI и др.), так и полупроводников типа Si, Ge. Показано, что при уменьшении пролётных областей до микро- и наноразмерных величин и возникновении условий действия сильных напряжённостей электрических полей, необходимо учитывать зависимости подвижности носителей от этого поля. Проведены сравнительные анализы полученных результатов с классическими известными соотношениями.

Ключевые слова: эффективная масса, дрейфовая скорость, напряжённость электрического поля, подвижность носителей заряда, кинетическая энергия, вольтамперная характеристика, полевой транзистор, подзатворная область дрейфа, пороговое поле эффекта Ганна

1.2.2 - Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ , 1.3.11 - Физика полупроводников