×

Вы используете устаревший браузер Internet Explorer. Некоторые функции сайта им не поддерживаются.

Рекомендуем установить один из следующих браузеров: Firefox, Opera или Chrome.

Контактная информация

+7-863-218-40-00 доб.200-80
ivdon3@bk.ru

  • Влияние ионно-аргонной бомбардировки на спектральные и вольт-амперные характеристики кристаллов CdS вблизи края фундаментального поглощения

    • Аннотация
    • pdf

    Приведены результаты исследований воздействия ионно-аргонной бомбардировки в вакууме на спектральное распределение фотопроводимости кристаллов CdS в области края фундаментального поглощения и на их вольт-амперные характеристики. Показано, что малодозовая ионно-аргонная бомбардировка приводит к росту фоточувствительности, а также к изменению спектрального распределения фототока за краем поглощения по-лупроводника. Наблюдаемые спектральные изменения связываются с понижением по-верхностной концентрации рекомбинационных центров, а также с ростом числа приповерхностных донорных собственно-дефектных центров, вызы-ваемые воздействием ионов аргона на поверхность кристаллов CdS. Выдерж-ка исследуемого кристалла CdS на воздухе, после воздействия на него иона-ми аргона, приводит обратному возрастанию числа рекомбинационных цен-тров на поверхности образца за счет взаимодействия поверхности полупро-водника с кислородом, содержащегося в воздухе.

    Ключевые слова: ионно-аргонная бомбардировка; спектры фотопроводимости; кристаллы CdS; поверхностная рекомбинация; вольт-амперная характеристика

    01.04.07 - Физика конденсированного состояния