Перегрев фотоэлектрических модулей (ФЭМ) является ключевой проблемой, приводящей к снижению их эффективности и срока службы, особенно в регионах с высоким уровнем солнечной радиации. Существующие модели недостаточно детализированы для точного прогнозирования тепловых режимов тонкопленочных микроморфных модулей в реальных условиях эксплуатации. В работе разработана трехмерная конечно-элементная модель микроморфного модуля Pramac 125 в программном комплексе Ansys, учитывающая геометрические, оптические и термодинамические характеристики всех слоев. Для верификации модели проведен натурный эксперимент в Астраханской области с регистрацией температуры модуля и метеорологических параметров. Валидация подтвердила высокую точность модели: коэффициент детерминации R² между расчетными и экспериментальными данными составил 0,9991. Модель позволяет оценивать тепловые режимы и связанные с ними энергетические потери, что обосновывает необходимость применения систем охлаждения в южных регионах России.

Ключевые слова: фотоэлектрический модуль, микроморфная технология, солнечная радиация, температурный режим, выходная мощность, математическое моделирование, метод конечных элементов, тепловые режимы, валидация модели, численный эксперимент

1.2.2 - Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ , 1.3.11 - Физика полупроводников

Методами оптической спектрофотометрии и спектрального анализа в диапазоне длин волн 0,2 – 0,87 мкм исследованы центры окраски (ЦО) в кристаллах редкоземельных галлиевых гранатов (РЗГГ) Gd3Ga5O12 (ГГГ), Gd3Sc1,6Ga3,4O12 (ГСГГ) и Nd3Ga5O12 (НГГ), выращенных по методу Чохральского. Впервые обнаружено, что при выдержке объектов исследования в темноте, в кристаллах ГГГ и ГСГГ образуются нестабильные ЦО с максимумами поглощения λmax1 = 0,243 мкм и λmax2 = 0,275 мкм и концентрацией N ~ 1018 см-3. Предполагается, что обнаруженные ЦО соответствуют дырочным центрам O- , связанным с вакансиями галлия V3-Ga3+ в тетраэдрических и октаэдрических узлах кристаллической решетки, соответственно, и образующимся вблизи комплексов [V3-Ga3+ - V2+O2- ]

Ключевые слова: центры окраски, редкоземельные галлиевые гранаты, кристыллы, метод Чохральского, кристаллическая решетка

01.04.10 - Физика полупроводников , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах

В статье, которая является обзорной, ставится вопрос об использовании фондовых материалов при проектировании свайных фундаментов в условиях просадочных грунтов. Тема является актуальной для инженеров, сталкивающихся с проектированием зданий и сооружений на просадочных грунтах. Указывается причина рассмотрения обозначенной темы, исходящая из нормативных документов, а так же из практики проведения испытаний свай статической нагрузкой. Ставится задача о возможности применения фондовых материалов полевых испытаний свай с учетом особенностей проведения статического зондирования в условиях, где это может быть затруднено, а так же в сочетании с результатами полных или выборочных инженерно-геологических изысканий, современных методов расчета (численные методы, САПР и т.п.) и данных геофизических изысканий.

Ключевые слова: Фондовые материалы, статическое зондирование, просадочный, изыскания

05.23.01 - Строительные конструкции, здания и сооружения